國產光刻機多久可以上國際主流

① 我國的光刻機5納米生產技術要多久才能突破

月初一條「中科院5nm激光光刻技術突破」的新聞火了，在很多無良自媒體的口中這則新聞完全變了味，給人的感覺像是中國不久將會擁有自己的5nm光刻機，其實真實情況完全不是一回事。下面我們就來談談這則新聞真實的內容到底是什麼，以及中國光刻機5nm生產技術還要多久才能取得突破。

中國和荷蘭ASML的差距最起碼也在十年以上現在國內最好的光刻機生產企業應該是上海微電子，目前生產的最好光刻機也只是90nm的製程。盡管有傳言說上海微電子明年將會推出28nm的全新光刻機，但是和ASML的EUV光刻機精度依舊相差甚遠。中國想要生產5nm的光刻機有一個最大的難點，就是自主研發。這不光意味著我們需要跨越從28nm到5nm這個巨大的障礙，並且在突破的過程中最好不要使用其他國家的專利，只能發展出一條屬於自己的光刻機道路。需要達成這么多的條件，研發的難度可想而知。總的來說短時間內我國的光刻機技術取得重大突破的概率為0，還是要被人牽著鼻子走。落後就要被挨打卡脖子在任何時候都是真理，只希望我們國家的科研人員能夠迎頭趕上，盡快取得突破吧。

② 中國光刻機明年可以達到世界先進的水平，開始邁入晶元強國

答案是很明顯的，即使中國光刻機明年可以達到世界先進的水平，但想要邁入晶元強國，仍有一段很遙遠的距離。大家都知道，然後成為晶元強國依賴於晶元光刻機我知道水準，然而雖然在2019年，中芯國際實現了第一代14納米FinFET工藝量產，但是中芯國際擁有的最先進14nmFinFET工藝，仍然不是完全自主的一項技術。而真正能夠代表國產光刻機技術水準的依然是上海微電子，但是目前它的技術仍然停留在90nm工藝的水準，在全球晶元製造技術上仍然是處於最低的水準。

總而言之，中國想要成為晶元強國，首先就要國內的晶元光刻機設備能夠跟得上世界的水平，而仍然依賴進口高端光刻機的中國，想要邁入晶元強國仍然需要時間和努力。

③ 中國光刻機

中國光刻機歷程

1964年中國科學院研製出65型接觸式光刻機；1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩膜工藝；清華大學研製第四代分部式投影光刻機，並在1980年獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。而那時，光刻機巨頭ASML還沒誕生。

然而，中國在1980年代放棄電子工業，導致20年技術積累全部付諸東流。1994年武漢無線電元件三廠破產改制，賣副食品去了。

1965年中國科學院研製出65型接觸式光刻機。

1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩模工藝。

1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的製造》。

1977年，我國最早的光刻機GK-3型半自動光刻機誕生，這是一台接觸式光刻機。

1978年，1445所在GK-3的基礎上開發了GK-4，但還是沒有擺脫接觸式光刻機。

1980年，清華大學研製第四代分步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。

1981年，中國科學院半導體所研製成功JK-1型半自動接近式光刻機。

1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，這些光刻機在當時的水平均不低，最保守估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年。

1985年，機電部45所研製出了分步光刻機樣機，通過電子部技術鑒定，認為達到美國4800DSW的水平。這應當是中國第一台分步投影式光刻機，中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年。

但是很可惜，光刻機研發至此為止，中國開始大規模引進外資，有了＂造不如買」科技無國界的思想。光刻技術和產業化，停滯不前。放棄電子工業的自主攻關，諸如光刻機等科技計劃被迫取消。

九十年代以來，光刻光源已被卡在193納米無法進步長達20年，這個技術非常關鍵，這直接導致ASML如此強勢的關鍵。直到二十一世紀，中國才剛剛開始啟動193納米ArF光刻機項目，足足落後ASML20多年。

④ 中國的光刻機達到了世界先進水平，但為何生產高端晶元依然困難重重

▲半導體器件工藝製程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍

刻蝕機是晶元製造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam
Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米晶元生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過台積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。

中科院SP超分辨光刻機

提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研製的「超分辨光刻裝備」項目。

該項目下研製的這台光刻機是「世界上首台分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備」。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。

▲中科院SP光刻機加工的樣品

然而，此次驗收合格的中科院光電技術研究所的這台表面等離子超衍射光刻機（SP光刻機）的加工精度與ASML的光刻機沒法比。沒法用於刻幾十納米級的晶元，至少以現在的技術不能。

據光電所專家稱，該所研製成功的這種SP光刻機用於晶元製造上還需要攻克一系列的技術難題，目前距離還很遙遠。也就是說中科院研製的這種光刻機不能（像一些網媒說的）用來光刻CPU。它的意義是用便宜光源實現較高的解析度，用於一些特殊製造場景，很經濟。

總之，中科院的22納米解析度光刻機跟ASML壟斷的光刻機不是一回事，說前者彎道超車，就好像說中國出了個競走名將要超越博爾特。

顯然，中科院研製成功的這台「超分辨光刻裝備」並不能說明我國在市場主流的的光刻機研製方面已經達到了世界先進水平，那麼現階段我國的光刻機的真實水平又是怎樣的呢？且看以下對比。

⑤ 中國有可能研發出成熟的光刻機嗎如果能，要多久

中國目前已經有了成熟的光刻機產品，只是說在技術水平上和光刻機的領頭羊ASML差距比較大而已。

目前國內的研發環境並不算好毫無疑問光刻機算的上目前科技界最頂尖的技術之一，這種技術要完成趕超需要不斷的和其他國家交流合作，從他們的產品中吸取經驗和教訓，進而才能在有限的時間內完成趕超。但是現在是什麼情況呢？國外的企業在光刻機領域紛紛拒絕合作，我們只能選擇閉門造車。只要美國不放鬆對國內光刻機企業的圍追堵截，那麼我們只能投入巨額的資金和技術慢慢追趕。不過ASML公司的產品已經和國內產品差距太大，短時間內沒有任何追趕上的可能性。如果我們想要繞過現有的光刻機技術走出一條自研道路，那麼需要的時間可能更久。從目前的形勢上看，我們的光刻機如果想追上現在國際一流水準的話最起碼都要十年以上，想要完成趕超更是天方夜談。不過現在壓力大也是好事，在強壓的下的中國企業肯定會更有拼勁，說不定未來會創造奇跡呢？

⑥ 中國目前光刻機處於怎樣的水平

按照高端、中端、低端三個檔次來劃分的話，中國目前是屬於第三檔，正在努力的向第二檔邁進。

由於早些年國內對光刻機這塊並不算重視，導致中國光刻機的起步晚、資金投入少、人才也相對不足，這些都是需要解決的問題。除非由國家牽頭並且進行人才資源的相關傾斜，否則國產光刻機最多也就能達到中端水平，基本上不具備追趕上ASML公司的可能性。

⑦ 中國的光刻機是什麼水平與世界先進還有多大差距如何追趕

中國光刻機距離世界先進水平，還有較大的差距。

第一，目前全球最先進的光刻機，已經實現5nm的目標。這是荷蘭ASML實現的。

而ASML也不是自己一家就能夠完成，而是國際合作才能實現的。其中，製造光源的設備來自美國公司；鏡片，則是來源於德國的蔡司公司等。這也是全球技術的綜合作用。

有關報道中的「全新的技術」，也就是中國科研工作者在關鍵部件完全國產化情況下，實現的這一次技術突破

中國和世界頂尖光刻機製造還有很大差距。

華為麒麟受制於人，中芯國際不堪大用，澎湃晶元久不見進展，虎憤晶元勉強能用。

實用更是有很遠的路要走。

大家放平心態。

⑧ 如果中國舉全國力量研發晶元和研製光刻機需要多長時間

感謝邀請

首先、可以肯定的是目前我國在晶元設計上並與全球頂尖水平差距並不是很大，差距主要在製造環節。

目前我國有很多晶元設計企業，有部分企業晶元設計能力已處於世界先進的地位，比如華為海思所設計的手機晶元已經達到世界第一梯隊的位置。

目前真正制約我國晶元發展的主要是在製造環節，因為把晶元設計出來之後要轉化為實實在在的晶元，需要通過晶圓廠家把它製造出來。

但是目前我國最先進的晶圓廠家是中芯國際，它能夠製造的晶元也只不過是14納米，這個跟國際目前已經量產的5納米仍然有很大的差距。

而制約我國晶元發展的有一個核心零部件就是光刻機。目前由上海微電子自主研發的28納米光刻機已經取得了技術上的突破，預計2021年將正式投產，但這跟ASML仍然有很大的差距。

所以綜合各種因素之後，我認為至少在未來10年之內，我國在晶元製造和高端光刻機上跟國際頂尖水平仍然會有一定的差距，這種差距即便舉國之力去研發，短期之內也是不可能完成縮小的。

⑨ 國際光刻機技術進入3nm工藝，為什麼國產光刻機經歷18年，還在90nmeimkt

國內的光刻機單從技術層面已經進入28nm節點，甚至上海微等已經有更領先的方案，不過目前頂尖光刻機都在asml，光刻機在量產應用，攤開成本取得用戶信任的路上收到的阻礙太多了，每次有突破，對應的光刻就會被阿斯麥等降價打擊