韓國ms副牌粒型號有哪些

『壹』 一般磁共振都有哪些型號

1、鐵磁共振型

鐵磁體中原子磁矩間的交換作用使這些原子磁矩在每個磁疇中自發地平行排列。一般，在鐵磁共振情況下，外加恆定磁場已使鐵磁體飽和磁化，即參與鐵磁共振進動運動的是彼此平行的原子磁矩（飽和磁化強度Ms）。

2、反鐵磁共振型

反鐵磁體是包含兩個晶體學上等效的磁亞點陣且磁矩互相抵消的序磁材料，反鐵磁共振是反鐵磁體在奈耳溫度以下的磁共振。由交換作用強耦合的兩個磁亞點陣中磁矩的復雜進動運動產生的共振現象。在反鐵磁共振中，有效恆定磁場包括反鐵磁體內的交換場BE和磁晶各向異性場BA。

3、順磁共振型

具有未抵消的電子磁矩（自旋）的磁無序系統，在一定的恆定磁場和高頻磁場同時作用下產生的磁共振。若未抵消的電子磁矩來源於未滿充的內電子殼層（如鐵族原子的3d殼層、稀土族原子的4f殼游模薯層），則一般稱為（狹義的）順磁共振。

4、迴旋共振型

亦稱抗磁共振。固體中的載流子（電子及空穴）和等離子體以及電離氣體在恆定磁場B和橫向高頻電場E（ω）的同時作用下，當高頻電場的頻率ω與帶碼察電粒子的迴旋頻率相等，ω=ωc，這些帶電粒子碰撞弛神者豫時間τ遠大於高頻電場周期，即τ≥1/ω時，便可觀測到帶電粒子的迴旋共振。

5、磁雙共振型

固體中有兩種或更多互相耦合的基團或磁共振系統時，一種基團或系統的磁共振可以影響另一種基團或系統的磁共振，因而可以利用其中的一種磁共振來探測另一種磁共振，稱為磁雙共振。

『貳』 請問模具焊絲有哪些規格 型號

模具鋼焊接
品牌型號 產品性能及應用舉例 焊後硬度
萬能440 用來修復各種高速鋼工具。焊後硬度達HRc62，就是在538℃時其硬度幾乎沒有影響。M440含有能使熔敷金屬具有抗脫模猜嫌碳性、防晶間偏析並使硬度深化的添加劑，使細晶粒、硬度均勻可靠。 HRC57-63
萬能480 專為工具、模具維修的工具鋼焊條。具有非凡的抗沖擊、抗擠壓和耐磨性能，能夠成功焊接所有常用的工具、模具鋼，甚至可以焊接修理難焊的AISI：D2、A2、S1、L6H和SKD-11或類似的工具鋼。一般低溫預熱或無需預熱，焊前、焊後不需熱處理。500℃硬度在HRc53以上，推薦用於各種熱作和冷作裁邊模、成形和落料模的修旦手理和硬化表面。 HRC58-59
MG710 一般無需預熱或只需低溫預熱，具有高度的抗碎裂性、可鍛造性、可回火性和多層焊接性。焊後硬度為Rc55-60。如剪裁機刀片、鍛模、冷剪裁模、成型模、撕碎機的錘頭、軋機滾子等 HRC55-60
MG761 通用性極廣的混合工具鋼焊條，焊前無需預熱或僅需用低溫預熱，焊後無需熱處理。適用於各種常見的工具鋼、模具鋼。兆喊常用於重負荷條件下工作的冷、熱工具。如熱鍛模、冷和熱切剪刀刃、成型模具、沖孔工具、重型熱和冷切剪裁模具。 HRC55-60
常用模具鋼焊絲 SKD-11、SKD61、8407（H13)、P 20、718、738、S136

◆更多產品請登陸公司網站：http://www.tjyyhj.com

『叄』 三菱刀粒的刀片規格(型號材質)

PMT0802MO AP.VP15TF
TPMN110308 TPMN222 UT120T
TPMN160308 TPMN222 UT120T
SPEN1203EOR NX2525
SENN1203EOR NX2525
TCMT110202 VP15TF
CCMT09T304 VP15TF
CCMW09T304 MD220
TNMG160408-MA VP15TF
TNMG160404-FH NX2525
WNMG080408-MS VP15TF
DCMT11T304 VP15TF
NP-TPGX110304F
TPGN110304 UTI20T
TPGN110308 HTI05T
TPGN110308 HTI10
TPGN110308 MB710
TPGN110308 MB730
TPGN110308 MB820
TPGN110308 MB825
TPGN110308 MD220
TPGN110308 NX55
TPGN110308 UP20M
TPGN110308 UTI20T
TPGN160302 HTI05T
TPGN160302 HTI10
TPGN160302 MD220
TPGN160302 NX55
TPGN160302 UP20M
TPGN160302 UTI20T
TPGN160304 HTI05T
TPGN160304 HTI10
TPGN160404 TPGN160404 HTI05T
TPGN160404 TPGN160404 HTI10
TPGN160404 TPGN160404 NX33
TPGN160404 TPGN160404 NX55
TPGN160404 TPGN160404 UP20M
TPGN160404 TPGN160404 UTI20T
TPGN160408 TPGN160408 HTI05T
TPGN160408 TPGN160408 HTI10
TPGN160408 TPGN160408 MB710
TPGN160408 TPGN160408 MB730
TPGN160408 TPGN160408 MB820
TPGN160408 TPGN160408 MB825
TPGN160408 TPGN160408 NX55
TPGN160408 TPGN160408 UP20M
TPGN160408 TPGN160408 UTI20T
TPMN160408 TPMN160408 HTI05T
TPMN160408 TPMN160408 HTI10
TPMN160408 TPMN160408 NX33
TPMN160408 TPMN160408 NX55
TPMN160408 TPMN160408 STI40T
TPMN160408 TPMN160408 UC6010
TPMN160408 TPMN160408 UE6010
TPMN160408 TPMN160408 UE6020
TPMN160408 TPMN160408 UTI20T
圖片

『肆』 中國垃圾處理器十大品牌有哪些

廚房食物垃圾處理器是一種現代化的廚房電器，安裝於廚房水槽下方，並與排水管相連。通過交流或直流電機驅動刀盤，利用離心力將粉碎腔內的食物垃圾粉碎後排入下水道。避免食物垃圾因儲存而滋生病菌、蚊蟲和異味等，從而營造健康、清潔、美觀的廚房環境。購買垃圾處理器應該選擇什麼牌子好？下面，為您介紹垃圾處理器十大品牌有哪些。

ISE愛適易

1927年創立於美國，美國艾默生電氣有限公司旗下，全球知名食物垃圾處理器銷售商和製造商，多元化的全球製造和技術公司 總部位於美國密蘇里州聖路易斯市的 Emerson （紐約證券交易所股票代碼: EMR），是一家全球性的技術與工程公司，為工業、商業及住宅市場客戶提供創新性解決方案。艾默生工業自動化業務通過業界專業的技術和工業專長，幫助過程和離散製造商實現自動化並優化生產過程。艾默生商住解決方案開發一系列技術和服務，從而改善人類舒適度，保障食品安全，保護環境，實現可持續性的食物垃圾處理，並為各類建築和市政基礎設施提供高效的建設和維護支持服務。

MAXDISPOSER帝普森

浙江潤尚廚衛科技有限公司旗下主打品牌帝普森，其主要產品是廚餘食物垃圾處理器。 浙江潤尚廚衛科技有限公司（以下簡稱「潤尚」），創立於1992年。其前身為申東水暖器材有限公司，後更名為浙江潤尚廚衛科技有限公司。
潤尚專注於打造廚餘食物垃圾處理器行業標桿，堅持以初心研發產品，以品質發展品牌，以誠信建立信譽，將健康環保的現代化高品質廚房生活理念傳遞至中國的億萬家庭。
公司工廠座落於美麗的港口城市台州玉環市。廠區面積13000多平方米，共有員工300餘人。隨著企業的不斷發展壯大，廠區的進一步拓展和擴建也在計劃中。 潤尚擁有一批生產、實驗設備和一支高素質研發隊伍，從事廚房垃圾處理器的研發及生產，現擁有多項廚房垃圾處理器領域專利。我們以不斷創新，突破自我，贏得社會的認可。我們擁有一整套嚴格的生產操作規范和質量檢驗標准。 潤尚通過了CE、CQC、UL認證，ISO9001.2000質量體系認證，為品牌產品走向國際奠定了堅實的基礎。
美的Midea
始於1968年，財富世界500強企業，世界級的白色家電製造商和品牌商，集消費電器/暖通空調/機器人與自動化系統/智能供應鏈（物流）於一體的科技集團 美的是一家消費電器、暖通空調、機器人與自動化系統、智能供應鏈（物流）的科技集團，提供多元化的產品種類與服務，包括以廚房家電、冰箱、洗衣機、及各類小家電為核心的消費電器業務；以家用空調、中央空調、供暖及通風系統為核心的暖通空調業務；以庫卡集團、美的機器人公司等為核心的機器人及自動化系統業務;以安得智聯為集成解決方案服務平台的智能供應鏈業務。
美的以「科技盡善，生活盡美」為企業願景，將「聯動人與萬物，啟迪美的世界」作為使命，恪守「敢知未來——志存高遠、務實奮進、包容共協、變革創新」的價值觀，整合全球資源，推動技術創新，每年為全球超過3億用戶、及各領域的重要客戶與戰略合作夥伴提供滿意的產品和服務，致力創造美好生活。

Whirlpool惠而浦
創立於1911年美國，全球較具規模的大型白色家電製造商，專注於為全球消費者提供優質的家電產品 惠而浦收購合肥三洋成立惠而浦（中國）股份有限公司，公司旗下擁有惠而浦、三洋、帝度、榮事達四大品牌，業務遍及全球40多個國家和地區，涵蓋冰箱、洗衣機等白色家電及廚房電器、生活電器等產品線。 自成立以來，惠而浦中國公司持續穩定發展，惠而浦品牌在中國的知名度及市場佔有率也在穩步提升。經過融合、布局和提升，在文化、技術、產品、製造、營銷和管理等多個環節，已經完成了與全球資源的對接。惠而浦全球研發中心及中國總部已經於2018年5月24日在安徽合肥正式啟用，繼2017年11月惠而浦合肥智能工廠投產之後，惠而浦在華發展已經有了工業4.0智能工廠、全球研發中心、中國總部三位一體的創新平台支撐，進入「三駕馬車」驅動時代。

貝克巴斯BECBAS

成立於1997年，家用食物垃圾處理器行業知名品牌，集生產/銷售/研發為一體，主打廚房食物垃圾處理機與工業電機產品系列的綜合型企業 貝克巴斯前身是北京思維思通信息技術有限公司，現北京貝克巴斯科技發展有限公司，是中國較早引進食物垃圾處理器的公司。
成立於1997年，並承接了使用食物垃圾處理器的精裝項目「密雲雲湖度假村」。行業內較早擁有恆速直流永磁電機及四級研磨技術的公司，以優良的產品性能與完善的安裝及售後服務體系而著稱，在各渠道銷量均名列前茅。集生產、銷售、研發為一體，專業於工業電機與廚房食物垃圾處理機兩大產品系列。 公司擁有精良的生產設備，完善的檢測手段以及現代化的管理體制。生產地址位於浙江省寧波市江北區庄橋，佔地面積20000平方米，建築面積22000平方米。

MOEN摩恩

源自1937年美國，擁有專業的龍頭鉛洗技術，知名的高級水龍頭/廚盆/衛浴五金配件的專業製造商，其數碼控制淋浴系統引起界內關注 美國摩恩公司Moen是水龍頭、廚盆、衛浴五金配件的專業製造公司之一。
摩恩的系列產品種類齊全，包括龍頭、廚盆、掛件、浴室傢具等。適應於各種場所的需要，廣泛應用於住宅、酒店、別墅、公寓、商務辦公樓及各類公用建築。摩恩產品以其精湛的技術，完善的售後服務而倍受世界各地用戶的偏愛，並享有較高的聲譽。
摩恩公司在中國 1996年，摩恩公司在中國成立了採用優良的生產管理和製造工藝的合資工廠。作為較早進入中國市場的水龍頭製造商，摩恩公司經過幾年的運作，如今在全國各地都有了比較完善的行銷渠道和成熟的銷售體制。先是在香港成立了美國摩恩（中國）有限公司，短短幾年裡已在國內設立上海、北京、廣州、重慶分公司，銷售服務網路覆蓋全國180多個城市。

『伍』 鋼琴最著名的品牌有哪些

目前世界上的名牌鋼琴很多，如德國生產的斯坦威、貝赫斯坦、奧地利生產的倍森多夫、佩卓夫、美國生產的鮑德溫、奇克林、義大利生產的法奇奧里、日本生產的雅馬哈等鋼琴。

根據鋼琴演奏家的長期使用及專業鋼琴製作者多年的比較、一致認為德國的斯坦威、奧地利的倍森多夫、日本的雅馬哈這三種牌號的三角鋼琴最為著名。

斯坦威和倍森多夫鋼琴都是歐洲最負盛名的產品，首先德國以及奧地利是歐洲最古老的文明國家，他們的音樂和樂器製造業歷史悠久，先後產生過許多大音樂家、演奏家和樂器製作大師。斯坦威和倍森多夫這兩個鋼琴公司，集多年鋼琴生產的經驗，以傳統的手工技藝及精挑細選的材料製作的鋼琴是鋼琴演奏家們最喜愛的。

斯坦威鋼琴的音色是無法用准確的語音來表達的。它以高音明亮華麗、中音部的音色誘人而溫暖、低音部音色低沉以及震撼人心的音響給人留下極深刻的印象。

倍森多夫鋼琴的音色特點是低音區的發音清晰而圓潤，且有持續很久的共鳴，讓你體會到獨特的音響上和結構上的製作方針。倍森多夫鋼琴在音響力度范圍的廣闊、音色細微差別的控制、音區的平衡等方面是十分成功的。

法奇奧里以其艷麗的音色，色彩變化豐富，高音清脆而明亮，且比一般鋼琴的踏板多了一個矛音踏板，生產出世界上最大的三角鋼琴（308cm）．

貝赫斯坦的顆粒與重量感的一致，且音色的純凈又不失干澀，安靜又不輕浮，高音透徹而純凈度極高，低音基音色彩濃厚而聞名．

鮑德溫以其渾厚的低音，明亮而清晰的高音而著稱，與美產的斯坦威的音色有一決高下之勢，憑借其卓越的品質和完美的音樂性能，贏得了全世界藝術家們的贊賞和青睞。

雅馬哈鋼琴的外觀造型力求簡單明快，雖不及斯坦威鋼琴工藝、造型方面給人以高貴的感覺，但也不失典雅大方。其手感輕快平均，音色既有一定的厚度又較為秀氣。

以上幾種鋼琴都被作為肖邦國際鋼琴比賽、柴可夫斯基國際鋼琴比賽等國際比賽的指定用琴，供選手們挑選。世界上許多大劇院、電台、電視台等演出場所及音樂院校大多選用以上這幾種名牌鋼琴。

『陸』 請問一下瀝青混凝土有哪些型號（越詳細越好）、SMA-13是什麼意思 謝謝 ！

AC表示為連續級配。

13是指該混合料公稱最大粒徑為13毫米。

C是連續級配中的一個分類。

AK 抗滑表層瀝青混合料。

SMA是一種瀝青混合料，全稱瀝青馬蹄脂碎石簡行混合料，用於鋪築高性能瀝青路面，改性瀝青SMA就是使用改性瀝青生產的瀝青馬蹄脂碎石混合。

(6)韓國ms副牌粒型號有哪些擴展閱讀：

瀝青混凝土路面要求具有足夠的強度和適宜的剛度，具有良好的穩定性。乾燥收縮和溫度收縮變形較小，表面應平整密清氏實；拱度與面答咐散層的拱度應一致；高程符合要求。瀝青路面的工藝則包括施工准備、原料制備、攤鋪方法、路面壓實和施工方法等方面。

瀝青混凝土路面選擇瀝青混凝土礦料級配時要兼顧兩者，以達到加入適量瀝青後混合料能形成密實、穩定、粗糙度適宜、經久耐用的路面。配合礦料有多種方法，可以用公式計算，也可以憑經驗規定級配范圍，中國目前採用經驗曲線的級配范圍。

『柒』 內存條的型號怎麼看哪裡看最好有圖例

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示或芹被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為衫清畢1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時正神間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13
FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10