俄羅斯用的什麼晶體管

❶ 為什麼俄羅斯的晶元百分之九十依賴進口，卻不怕美國卡脖子

俄羅斯的社會生產活動不需要進口太多的晶元，因為它沒有那麼多的電子產業，也沒有大規模的鑄造廠，而晶元只是新興產業所需的組件。您能想像俄羅斯每年生產多少輛汽車嗎？多少名戰士？多少輛坦克？這些是俄羅斯的主要產品。不僅輸出是稀缺的，而且對晶元的尺寸幾乎沒有要求。只要設計足夠好並且尺寸很大，就可以接受它，或者如果您足夠好，它也可以用在由晶體管和電子管製成的飛機油箱中。 MiG-25真是太好了。

更有意思的是，這些低端晶元是很容易打破封鎖的，並且從國際社會購買設備的難度也大大降低。我國社會保障基金會前任主席王忠民直言不諱地說，那些國際上生產10納米，20納米和30納米晶元的設備可以比荷蘭的光刻機便宜30％以上。購買後即可使用，並且解決大多數晶元要求都沒有問題。

❷ 蘇聯為什麼如此迷戀電子管而不轉向晶體管

晶體管放大器與電子管放大器的比較
1、工作特點電路結構
晶體管放大器是在低電壓大電流下工作，功放級的工作電壓在幾十伏之內，而電流達幾安或數十安。電路設計上多採用直耦式（OCL、BTL等）無輸出變壓器電路，輸出功率可以做得很大，可達數百瓦，各項電性能都做得很高。
電子管放大器是在高電壓、低電流狀態下工作。末極功放管的屏極電壓可達到400-500V甚至上千伏，而流過電子管的電流僅幾十毫安至幾百毫安。輸入動太范圍大，轉換速率快。
電子管放大器大多是採用分立元件、手工搭線、焊接，效率低，成本高。而晶體放大器多是採用晶體管和集成電路相結合方式，廣泛使用印刷電路板，效率高，焊接質量穩定，電性能指標高。
2、功率儲備與抗過載能力
高保真放大器動態范圍應做到120dB，這樣才能滿足聲響從輕微到高潮頂峰的需要，放大器輸出不削波，因此放大器要有足夠的功率儲備量。如果音頻電壓的動態范圍為3：1，因功率與電壓平方成正比，所以其功率動態范圍即為9：1。也就是說功率為90W的功放，要達到高保真放音只能開到10W。因此，晶體管放大器需要有很大的功率儲備，才不會出現過載失真，一旦地載，其失真幾近成垂直線上升，嚴重時能損壞晶體管。電子管放大器抗過載能力遠比晶體管放大器強。如發生過載，其音樂信號巔峰只是變得比正常波形滑，聲音聽不出有多大程度的變壞。而對晶體管放大器來說，此時將出現削波，音質明顯變壞。
3、開環指標與瞬態特性
電子管功放的開環指標優於晶體管，不需加深度的負反饋，不加相位補償電容也能穩定地工作，因而其動態指標優於晶體管功放。晶體管功放的開環增益量（未加負反饋前的增益量）往往很大，它的優良的電聲指標，是依靠加了很大量的負反饋來達到的，為了抑制寄生振盪，晶體管功放中又常常採用滯後補償，這就帶來了明顯的瞬態互調畸變，嚴重地影響音質。
4、效率、壽命與成本
電子管放大器在重量、效率、壽命方面比晶體管放大器不佔優勢。電子管壽命較低，使用一兩千小時後某些技術指標明顯下降。而晶體管及集成電路壽命卻要長得多。另外，電子管放大器耗電高，又常常工作在甲類狀態，更降低了效率，但基不存在瞬態互調失真、開關失真及交越失真等有害音質的因素。在成本方面，對同一檔次的放大器，電子管功放一般明顯高於晶體管功放。主要原因是電子管、輸出變壓器成本高，及電子管功放生產工藝不易自動化，生產效率低等。這在發達國家尢為明顯。
5、放大器與揚聲器的匹配
晶體管放大器的輸出內陰往往比電子管功放小的多，它的阻尼系數fd很大，可達到100-200以上，而電子管功放的fd最大也不過為10-20。因此功放類型不同，應搭配不同的揚聲器。揚聲器出廠時應標明fd，以便人們選配。如果把適合電子管功放阻尼系數的揚聲器接在晶體管放大器上，則揚聲器的電陰尼過大，瞬態響應會變劣，音質明顯下降。反之，適合高阻尼系數的揚聲器接在電子管功率放大器上，則由於欠阻尼，音質也不會好。總之，阻尼系數一定要合適，即要求放大器與揚聲器得到合理匹配。
6、音質
由於以上提到的以及未提到的種種原因，電子管功放音質明顯優於晶體管功放。晶體管功放聽起來高頻、中高頻有偏多感覺，低頻感覺偏少，晶體管功放聽起來聲音較硬，特別是低頻聲不夠柔和，而高頻聲又顯得尖刺、發燥，聽起來有時感到高頻段存在著交越畸變。當頻率增高而音量又很大時，這些現象就更加明顯。但晶體管功放的動態大、速度快，特別適宜於表現動態大一些的音樂。至於表現槍炮和雷電聲當然更優於電子管功放了。
7.電子管功放的音質總的來說是柔和動聽，具體一點說，電子管功放低頻聲柔和清晰，高頻聲纖細雨而潔凈。表現人聲是其強項，也因此更值錢。
三、選購的考慮
既然電子管放大器能與晶體管放大器平分天下，那麼其必有優越性存在。而晶體管放大器採用的新技術似乎明顯優於電子管。因而到目前為止，晶體管放大器在聲頻領域仍然佔有明顯優勢，而且由於其自身缺點的存在，而正在設法減少與迴避這些自身的缺點。比如各種場效應管的越來越多的應用，甲類放大形式迅速地增多等都是與電子管放大器抗爭的有效措施。
與此同時，電子管放大器更不甘落後，除以音質取勝外，它常常以不銹鋼的銀光裸露的姿態而招徠顧客，在微弱照明下，電子管發出一團團橙紅色的光芒實在可增加不少溫馨氛圍。
總之，電子管功放與晶體管功放各有優缺點，不能簡單地說誰好誰不好。從主觀上講，由於各人的閱歷、素養、情趣等等的差異，常會對某種放大器更偏愛一些。一句話，還是各取所需為好。假如你喜歡管弦樂特別是喜歡室內樂與人聲等，那麼應該把電子管功放列為首選，假如你特別喜歡爵士、搖滾與現代音樂，則選晶體管功放勿用置疑；再者你若喜歡家庭影院所再現的震撼身心的聲光場面，恐怕也少不了晶體管功放。

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❸ 晶體三極體

1、中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極體

2、日本半導體分立器件型號命名方法
日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極體三極體及上述器件的組合管、1-二極體、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從「11」開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。
第五部分：用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。

3、美國半導體分立器件型號命名方法
美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極體、2=三極體、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。
第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極體，JAN-軍級、2-三極體、N-EIA注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

4、國際電子聯合會半導體器件型號命名方法
德國、法國、義大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都採用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特徵。A-檢波開關混頻二極體、B-變容二極體、C-低頻小功率三極體、D-低頻大功率三極體、E-隧道二極體、 F-高頻小功率三極體、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極體、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極體、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極體、Y-整流二極體、Z-穩壓二極體。
第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加後綴，以區別特性或進一步分類。常見後綴如下：
1、穩壓二極體型號的後綴。其後綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其後綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；後綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極體後綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的後綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極體，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極體。

5、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭採用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件
第二部分：A-二極體、C-三極體、AP-光電二極體、CP-光電三極體、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。
俄羅斯半導體器件型號命名法由於使用少，在此不介紹。

❹ 前蘇聯丌403晶體管用什麼代替

你好，蘇聯丌403是高頻鍺晶體管(PNP型)，後來國產的3AG1可以的代替。
這種晶體管一般是在單管，四管來復式收音機，六管超外差式收音機的前端高頻放大用。

❺ 在晶體管和電子管分化階段，為什麼美國發展了晶體管，而前蘇聯及俄羅斯卻發展了電子管

因為晶體管不如電子管禁砸，俄羅斯人看見電子管電視畫面質量不好，用拳頭砸一下就好了，而晶體管電視，一砸就徹底玩完了，所以電子管是符合俄羅斯國情的，
瓦倫丁*尼古拉耶維奇*阿夫代夫專門在"維基網路"，這並不反映他的蘇聯科學和軍隊的巨大貢獻幾個吝嗇線："蘇聯科學家，在電子專家，出生1915年5月16日，死"

與此同時，阿夫迪夫是一位科學家，正如他們所說，來自上帝。 他在無線電管領域的所有發展都是在沒有更高的情況下進行的，但總的來說任何系統的教育！ 然而，在正確的順序！

在40年代和50年代的電子，其中，像當時的所有科學成就，第一件事掉進軍事行業，有一個巨大的突破之交-美國發明家，諾貝爾物理學獎獲得者威廉布拉德福 一個小的金屬圓柱體的大小頂針與內部的半導體晶體和三線引線打開設備的設計的本質-它允許放棄無線電管，巨大的相比，晶體管，無情energoprozhorlivyh，脆弱，不可靠，..

當然，美國軍事裝備立即開始迅速縮小。 而在門檻上是太空時代-有緊湊性和可靠性的技術問題已經變得更加尖銳。 冷戰及其軍備競賽帶來了無線電管不再適合的新挑戰。..

然而，在蘇聯更換燈是什麼！ 並不是說我們沒有晶體管-有和發展進行。 但沒有足夠的時間來趕上來自資產階級的公平滯後-有必要以某種方式削減一擊的快刀斬亂麻。 該解決方案提出了一個年輕的科學家瓦倫丁Avdeev，誰開發了一種新型的電真空設備-也燈，但在結構上完全不同！

Avdeev的桿燈，這是他在新西伯利亞設計的，當他在戰爭期間從列寧格勒與斯韋特蘭娜工廠疏散那裡，是薄的玻璃圓柱體，並不比那個時代的晶體管大得多。 和名稱"桿"是不是由於燈具的特徵形狀（這將是太原始！），而且由於電極的形狀，這是更重要的。 Avdeev不只是減少了經典的燈薄"管"，但創造了一個根本不同的方式來控制電子的燈內部的流動通過改變對桿的電位，因為它們被稱為桿。

但最重要的是-由於本發明設法擺脫傳統的燈具，這使得建立一個非常可靠，緊湊，經濟的無線電設備的幾乎所有的缺點！ 桿燈消耗量級較少的能量和工作完美的攜帶型和微型設備與電池電源，他們不怕振動，在廣泛的溫度范圍內運作（從-60到+125度！），自信地工作在高頻率！ 棒radiolamps的使用壽命-5000小時（為了便於比較，傳統的radiolamps工作不超過500小時，實際上少！)

高頻五odes1zh17b，1ZH18B，1ZH24B，1ZH29B和1P24B-這是傳說中的燈，提供了第一個人造地球衛星在1957年的信號傳輸的名稱，這要歸功於加加林，蒂托夫， 在這些燈的工作幾乎整個軍事無線電50年代，60年代（是和70年代！）年在我國，甚至在第一反坦克制導導彈接收機建立在Avdeev五分之一-嵌入在允許承受任何過載的可靠性設計！

❻ 俄羅斯的晶元，和光刻機的技術，現在發展得怎樣了

晶元、光刻機成為了俄羅斯不能說不擔心晶元和光刻機的問題，只是他們現在根本還有必要操心這件事，而這一切和俄羅斯（前蘇聯）的近50年發展所導致的。為什麼這么說呢？

總結一下就是他們不看好晶體管，同時因為體制的原因，導致許多創新被埋沒。

正如前文所說的，晶元其實是近代最重要的科技。由於晶元所引領的是產業鏈和標准。因此，掌握了晶元技術，就可以實現壟斷，並從中獲取暴利。西方國家從晶元行業獲取到了大量的甜頭。晶元的用處很多，它需要用到方方面面的領域，無論是軍工的，還是民用的。如果一個國家因為某些政治因素不能夠進口晶元，那麼這個國家的許多行業都會受到沖擊。

❼ 晶元是國家的命脈，為什麼俄羅斯不擔心晶元和光刻機的問題

晶元是國家的命脈，為什麼俄羅斯不擔心晶元和光刻機的問題？

近日的晶元大戰，大家應該都是看在眼裡的。晶元技術對於一個國家的發展而言，有著非常重要的意義，目前全世界最先進的晶元技術是掌握在美國的手裡。而這一次大戰當中我們也可以看得出來晶元，對於一個國家的影響究竟有多大，因為國內的晶元技術不夠成熟，因此，只能夠說是看他人的眼色行事。但這一次晶元大戰中，有一個國家似乎沒有參與，就是俄羅斯。晶元是國家的命脈，為什麼俄羅斯不擔心晶元和光刻機的問題呢？俄羅斯之所以對晶元和光刻機問題並不太關注，可能是由於以下原因：

不管是從科研實力來看，還是從軍事實力來看，俄羅斯如今依舊是位列世界領先水平。像俄羅斯這種大國，根本就對於美國的晶元沒有形成依賴心理，所以有部分人才會發現，這一次在這場大戰當中，似乎俄羅斯根本就沒有參與。

❽ 俄羅斯的電子工業比較落後，為什麼能造出先進的雷達和防空反導系統

對俄羅斯電子工業的評價，網上有兩種截然相反的觀點。一種觀點說俄羅斯的電子工業處於世界領先水平，連美國都不能望其項背。 也有一種觀點說俄羅斯電子工業落後，說俄軍事裝備不僅比西方的差，而且也不如中國的。其實，網上好多觀點都是人雲亦雲，很難見到純專業角度的觀點，甚至好多觀點是帶著感情色彩。

當年牛氣哄哄的蘇聯都尚且沒有把雷達折騰出什麼名堂，如今元氣大傷的俄羅斯要想在雷達領域後來居上更是痴人說夢。

但其實雷達技術還不是俄羅斯最落後的技術，俄羅斯最大的短板，就是它的動能攔截技術。俄羅斯直到現在還搞不定高精度的動能攔截器，這正是電子工業的落後拖了後腿。

俄羅斯的動能反導水平真的不敢恭維。更別說跟世界頂級水平相提並論，所謂的A135戰略反導攔截系統其實是使用核彈頭在自家頭頂上摧毀來襲導彈，這種「自殺式攔截」的做法不愧是戰斗民族的風格。

現在不僅是美國，連中國都放棄了這種簡單粗暴的反導方式，改為更加先進高效的中段反導技術。俄羅斯至今在該領域原地踏步，至今沒有什麼建樹。 實事求是地說，俄羅斯在雷達和反導系統領域離「先進」這個目標還相距甚遠。

❾ 蘇聯6h23電子管的特點

由於電子管體積大、功耗大、發熱厲害、壽命短、電源利用效率低、結構脆弱而且需要高壓電源的缺點，它的絕大部分用途已經被固體器件晶體管所取代。優點:1、電子管負載能力強2、線性性能優於晶體管3、工作頻率高4、高頻大功率領域的工作特性要比晶體管更好
所以仍然在一些地方（如大功率無線電發射設備，高頻介質加熱設備）繼續發揮著不可替代的作用。