俄羅斯半導體是什麼樣的

① 俄羅斯的晶元，和光刻機的技術，現在發展得怎樣了

晶元、光刻機成為了俄羅斯不能說不擔心晶元和光刻機的問題，只是他們現在根本還有必要操心這件事，而這一切和俄羅斯（前蘇聯）的近50年發展所導致的。為什麼這么說呢？

總結一下就是他們不看好晶體管，同時因為體制的原因，導致許多創新被埋沒。

正如前文所說的，晶元其實是近代最重要的科技。由於晶元所引領的是產業鏈和標准。因此，掌握了晶元技術，就可以實現壟斷，並從中獲取暴利。西方國家從晶元行業獲取到了大量的甜頭。晶元的用處很多，它需要用到方方面面的領域，無論是軍工的，還是民用的。如果一個國家因為某些政治因素不能夠進口晶元，那麼這個國家的許多行業都會受到沖擊。

② 半導體是什麼，有什麼特點

半導體
[bàn dǎo tǐ]
半導體( semiconctor），指常溫下導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。二極體是採用半導體製作的器件。

中文名：半導體
外文名：semiconctor
應用：收音機、電視機以及測溫
物質形式：氣體、等離子體等
簡介

物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性差或不好的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可
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半導體
。

本徵半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子- 空穴對，空穴導電並不是電子運動，但是它的運動可以將其等效為載流子。空穴導電時等電量的電子會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子- 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子- 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。

③ 白俄羅斯晶元怎麼樣

俄羅斯的晶元行業發展的一般，但是俄羅斯的其他電子行業還是很不錯的。
俄羅斯本土也研發了激晶體振盪器，這在軍事方面還是非常適用的，只是在民用方面不太方便，但是對於俄羅斯來說，能夠用於軍事就夠了，畢竟軍事實力是自己國家的核心，所以根本不在意美國的制裁。
集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；或稱微電路（microcircuit）、微晶元（microchip）、晶片/晶元（chip）在電子學中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。

④ 求助!!關於半導體的一些問題!!

一、中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極體

二、日本半導體分立器件型號命名方法

日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極體三極體及上述器件的組合管、1-二極體、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從「11」開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。
第五部分：用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。

三、美國半導體分立器件型號命名方法

美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極體、2=三極體、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。
第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極體，JAN-軍級、2-三極體、N-EIA注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、國際電子聯合會半導體器件型號命名方法

德國、法國、義大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都採用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特徵。A-檢波開關混頻二極體、B-變容二極體、C-低頻小功率三極體、D-低頻大功率三極體、E-隧道二極體、F-高頻小功率三極體、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極體、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極體、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極體、Y-整流二極體、Z-穩壓二極體。
第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加後綴，以區別特性或進一步分類。常見後綴如下：

1、穩壓二極體型號的後綴。其後綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其後綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；後綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極體後綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的後綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極體，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極體。

五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭採用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件
第二部分：A-二極體、C-三極體、AP-光電二極體、CP-光電三極體、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。
俄羅斯半導體器件型號命名法由於使用少，在此不介紹。

第一部分用字母表示半導體器件的材料；

第二部分用字母表示半導體器件的類別；

第三部分用數字或字母與數字混合表示序號；

第四部分用字母表示器件的規格號（同一類產品的檔次）

⑤ 俄羅斯是科技大國，它的晶元產業如何呢

俄羅斯是一個軍事科技大國。它是第一次發射人造衛星並將人類送入太空。真是太棒了！唯一能與俄羅斯相提並論的國家是美國。從目前俄羅斯晶元的使用情況來看，95%以上的民用中高端晶元依賴進口，軍用晶元不能進口，只能依靠自主研發，其餘5%的民用晶元依賴自主生產。5%的民用生產晶元主要由一家名為MCST的俄羅斯公司提供。產品名為ELBRUS系列晶元，採用甲骨文的SPARC架構，由台積電OEM。晶元採用SPARC V9指令集，8核微處理器，時鍾頻率2GHz，採用台積電28nm技術製造，內置雙通道ddr4-2400內存控制器。

⑥ 俄羅斯曾發現的2.5億年前的「晶元」化石，真的是來自外星文明嗎

首先，讓我們了解晶元開發的歷史。人們普遍認為，英國無線電科學家傑弗里·丹默（Jeffrey Dammer）於1952年5月7日首次提出將許多電子組件集成到半導體晶元中的做法，這標志著電子晶元的出現。從1958年到1959年，由於半導體技術的突破，美國物理學家傑克·基爾比（Jack Kilby）獲得了集成電路技術的專利，並進行了第一批不完善的晶元樣品和批量生產。

2015年4月14日，該報紙發表了一篇題為“俄羅斯科學家發現2.5億年前的化石的化石”的文章。俄羅斯拉賓斯克市居民維克多·莫羅佐夫（Viktor Morozov）在釣魚時發現一塊有奇怪斑點的石頭，因此將其交給了新的切爾卡斯克科技大學的專家。專家們進行了一系列測試，他們得出的結論是，這是一種在2.25億至2.5億年前的納米技術製成的晶元，與我們今天使用的晶元相似。但是為了防止損壞，沒有取出石頭中的物體，即所謂的化石碎片。

⑦ 為什麼在俄羅斯可以發現距今2.5億年的晶元而且2.5納米的製程工藝，比我們現在都高

據國外媒體報道，俄羅斯科學家發現2.5億年前的晶元化石。

據介紹，俄羅斯拉賓斯克市郊當地居民維克托·莫羅佐夫在捕魚時撿到了一塊有奇怪斑點的石頭，並把它交給了新切爾卡斯克工業大學的專家。科學家進行了一
系列測試後得出結論，這是一枚在2.25億至2.5億年前用納米技術製成的晶元，與我們今天使用的晶元類似。但也有一些科學家認為，這個時間並不準確，因
為石頭的准確年齡無法確定，而「晶元」年齡又是根據包裹它的有機物的線索確定的。

誰會在2.5億年前使用這枚「晶元」呢？或許，它是某種遠古技術的殘留，而這種技術屬於曾在地球居住的某種高級文明？又或許，它並非來自地球，而是外星人在其他星球上製造的？

一般認為，電子晶元出現於1952年5月7日，英國無線電學家傑弗里·達默首次提出將許多電子元器件集成在一塊半導體晶片上。1958年至1959年，半導體工業實現了突破。美國物理學家傑克·基爾比獲得集成電路技術專利，製造出首批不完善的晶元樣品並投入量產。

⑧ 俄羅斯晶元90%依賴進口，不給供應，美國為什麼不怕卡脖子

見到那樣的難題，可能俄羅斯人要怪異地笑了，受制於人？俺沒有頸部，你怎麼卡？是的，俄羅斯的「晶元」盡管90%之上依靠進口，但別人壓根不害怕封禁。不論是美國的山姆大叔，或是歐洲的各界神鬼，俄羅斯置若罔聞，有很大的「放馬過來，孔子不杵」的豪爽。這到底是為什麼？

晶元，簡易而言，便是將微電路刻在半導體材料圓晶表層的的集成電路晶元。而把電源電路打上去，靠的是光刻技術。光刻技術這東西，大家有，俄羅斯也是有。可是，最優秀的光刻技術把握在西班牙企業ASML手上，她們推動著最優秀的光刻工藝。用西班牙ASML的高端光刻機，能夠生產製造出10納米之內的晶元，最大級別早已做到了3納米。

自然，最可靠的或是自身國家漸漸地發展趨勢，這一點，俄羅斯也在做。此外，便是一定和中國維持最親密無間的關聯，緊要關頭，中國能夠達到俄羅斯很多的中低檔要求，並且不容易去封禁俄羅斯，終究全是美國憎惡的國家，是互相幫助的難兄難弟。

總得來說，俄羅斯現階段不害怕美國受制於人，是由於那麼2個緣故，一是俄羅斯的民用晶元級別規定並不高，二是俄羅斯不但有歐美國家晶元一種挑選。

⑨ 印度和俄羅斯有晶元製造的能力嗎

1.現在目前的晶元領域，美國依然是領頭羊，科研不是閉門造車，是需要交流碰撞的。

2.從目前來看，俄羅斯的晶元科研能力並不強，從目前我平時所在的研究領域來看，不管是俄羅斯的課題組還是俄羅斯在歐美的留學生發表出來的論文都很少，反倒是中國和印度的留學生在頂級期刊發表出來的成果比較多，而且目前大陸的高校每年在ICCSS發表的論文也是越來越多。相比之前進步已經很大了。（當然也可能是俄羅斯人的名字讓人印象不太深刻，看到就忘了）不過目前在IC領域最強的應該還是美日韓台。

3.我想對於民用領域，任何國家都害怕美國晶元科技的封鎖。但是軍用的話就不一樣了，因為軍用一般要求高的可靠性（比如溫度，ESD，還有輻射等），一般來說軍用晶元都用的都是比較成熟的工藝，而非最先進的工藝。

4.關於技術差多少年，不知該如何回答，因為不知道評判標準是什麼。

5.據說俄羅斯每年要從中國河北那個所進口很多晶元。（翟羽健）

在政府資助的學術機構和本土科技企業家的推動下，這項研究和開發工作的重點是促進國內製造業。

支持的形式還包括今年2月公布的一項新政策，該政策旨在使該國成為電子製造中心，並為出口和包括半導體設施在內的高科技項目提供特殊激勵。

⑩ 半導體是什麼樣的具體什麼東西叫做半導體

電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度系數的物質稱為半導體
比如砷化鎵、磷化鎵、硫化鎘、硫化鋅等