光刻机投入多久能上国际主流

⑴ 中国目前光刻机处于怎样的水平为什么短时间内造不出来

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。

光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！

有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。

中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。

⑵ 中国目前光刻机处于怎样的水平

按照高端、中端、低端三个档次来划分的话，中国目前是属于第三档，正在努力的向第二档迈进。

由于早些年国内对光刻机这块并不算重视，导致中国光刻机的起步晚、资金投入少、人才也相对不足，这些都是需要解决的问题。除非由国家牵头并且进行人才资源的相关倾斜，否则国产光刻机最多也就能达到中端水平，基本上不具备追赶上ASML公司的可能性。

⑶ 中国有可能研发出成熟的光刻机吗如果能，要多久

中国目前已经有了成熟的光刻机产品，只是说在技术水平上和光刻机的领头羊ASML差距比较大而已。

目前国内的研发环境并不算好毫无疑问光刻机算的上目前科技界最顶尖的技术之一，这种技术要完成赶超需要不断的和其他国家交流合作，从他们的产品中吸取经验和教训，进而才能在有限的时间内完成赶超。但是现在是什么情况呢？国外的企业在光刻机领域纷纷拒绝合作，我们只能选择闭门造车。只要美国不放松对国内光刻机企业的围追堵截，那么我们只能投入巨额的资金和技术慢慢追赶。不过ASML公司的产品已经和国内产品差距太大，短时间内没有任何追赶上的可能性。如果我们想要绕过现有的光刻机技术走出一条自研道路，那么需要的时间可能更久。从目前的形势上看，我们的光刻机如果想追上现在国际一流水准的话最起码都要十年以上，想要完成赶超更是天方夜谈。不过现在压力大也是好事，在强压的下的中国企业肯定会更有拼劲，说不定未来会创造奇迹呢？

⑷ 我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破

月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么，以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。

中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子，目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件，研发的难度可想而知。总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0，还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理，只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上，尽快取得突破吧。

⑸ 中国光刻机明年可以达到世界先进的水平，开始迈入芯片强国

答案是很明显的，即使中国光刻机明年可以达到世界先进的水平，但想要迈入芯片强国，仍有一段很遥远的距离。大家都知道，然后成为芯片强国依赖于芯片光刻机我知道水准，然而虽然在2019年，中芯国际实现了第一代14纳米FinFET工艺量产，但是中芯国际拥有的最先进14nmFinFET工艺，仍然不是完全自主的一项技术。而真正能够代表国产光刻机技术水准的依然是上海微电子，但是目前它的技术仍然停留在90nm工艺的水准，在全球芯片制造技术上仍然是处于最低的水准。

总而言之，中国想要成为芯片强国，首先就要国内的芯片光刻机设备能够跟得上世界的水平，而仍然依赖进口高端光刻机的中国，想要迈入芯片强国仍然需要时间和努力。

⑹ 中国的光刻机是什么水平与世界先进还有多大差距如何追赶

中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距。

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。

⑺ 中国的光刻机达到世界先进水平，为什么还有人说中国芯片业依旧前路艰辛

光刻机是什么？
我们知道一个人的身体素质好坏，跟它的心脏有关，光刻机就是所有电子产品的心脏。专业一点说光刻机是一台机器，它可以完成在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上，最后将器件或电路结构临时"复制"到硅片上。

现在他们正在再接再厉，乘胜追击，进行其他各系列产品的研发制作工作，在该领域捷报频传。

2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目"超分辨光刻装备研制"通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。 10纳米跟世界先进水平7纳米的差距，乐观估计是十年的差距。

目前我国芯片制造技术落后，光刻机水平也不是世界先进水平，但我国科学家是最棒 的，一定会迎头赶上的。

⑻ 如果中国举全国力量研发芯片和研制光刻机需要多长时间

感谢邀请

首先、可以肯定的是目前我国在芯片设计上并与全球顶尖水平差距并不是很大，差距主要在制造环节。

目前我国有很多芯片设计企业，有部分企业芯片设计能力已处于世界先进的地位，比如华为海思所设计的手机芯片已经达到世界第一梯队的位置。

目前真正制约我国芯片发展的主要是在制造环节，因为把芯片设计出来之后要转化为实实在在的芯片，需要通过晶圆厂家把它制造出来。

但是目前我国最先进的晶圆厂家是中芯国际，它能够制造的芯片也只不过是14纳米，这个跟国际目前已经量产的5纳米仍然有很大的差距。

而制约我国芯片发展的有一个核心零部件就是光刻机。目前由上海微电子自主研发的28纳米光刻机已经取得了技术上的突破，预计2021年将正式投产，但这跟ASML仍然有很大的差距。

所以综合各种因素之后，我认为至少在未来10年之内，我国在芯片制造和高端光刻机上跟国际顶尖水平仍然会有一定的差距，这种差距即便举国之力去研发，短期之内也是不可能完成缩小的。

⑼ 中国的光刻机达到了世界先进水平，但为何生产高端芯片依然困难重重

▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam
Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

▲中科院SP光刻机加工的样品

然而，此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机（SP光刻机）的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片，至少以现在的技术不能。

据光电所专家称，该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题，目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能（像一些网媒说的）用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景，很经济。

总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事，说前者弯道超车，就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。

显然，中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平，那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢？且看以下对比。