韩国ms副牌粒型号有哪些

‘壹’ 一般磁共振都有哪些型号

1、铁磁共振型

铁磁体中原子磁矩间的交换作用使这些原子磁矩在每个磁畴中自发地平行排列。一般，在铁磁共振情况下，外加恒定磁场已使铁磁体饱和磁化，即参与铁磁共振进动运动的是彼此平行的原子磁矩（饱和磁化强度Ms）。

2、反铁磁共振型

反铁磁体是包含两个晶体学上等效的磁亚点阵且磁矩互相抵消的序磁材料，反铁磁共振是反铁磁体在奈耳温度以下的磁共振。由交换作用强耦合的两个磁亚点阵中磁矩的复杂进动运动产生的共振现象。在反铁磁共振中，有效恒定磁场包括反铁磁体内的交换场BE和磁晶各向异性场BA。

3、顺磁共振型

具有未抵消的电子磁矩（自旋）的磁无序系统，在一定的恒定磁场和高频磁场同时作用下产生的磁共振。若未抵消的电子磁矩来源于未满充的内电子壳层（如铁族原子的3d壳层、稀土族原子的4f壳游模薯层），则一般称为（狭义的）顺磁共振。

4、回旋共振型

亦称抗磁共振。固体中的载流子（电子及空穴）和等离子体以及电离气体在恒定磁场B和横向高频电场E（ω）的同时作用下，当高频电场的频率ω与带码察电粒子的回旋频率相等，ω=ωc，这些带电粒子碰撞弛神者豫时间τ远大于高频电场周期，即τ≥1/ω时，便可观测到带电粒子的回旋共振。

5、磁双共振型

固体中有两种或更多互相耦合的基团或磁共振系统时，一种基团或系统的磁共振可以影响另一种基团或系统的磁共振，因而可以利用其中的一种磁共振来探测另一种磁共振，称为磁双共振。

‘贰’ 请问模具焊丝有哪些规格 型号

模具钢焊接
品牌型号 产品性能及应用举例 焊后硬度
万能440 用来修复各种高速钢工具。焊后硬度达HRc62，就是在538℃时其硬度几乎没有影响。M440含有能使熔敷金属具有抗脱模猜嫌碳性、防晶间偏析并使硬度深化的添加剂，使细晶粒、硬度均匀可靠。 HRC57-63
万能480 专为工具、模具维修的工具钢焊条。具有非凡的抗冲击、抗挤压和耐磨性能，能够成功焊接所有常用的工具、模具钢，甚至可以焊接修理难焊的AISI：D2、A2、S1、L6H和SKD-11或类似的工具钢。一般低温预热或无需预热，焊前、焊后不需热处理。500℃硬度在HRc53以上，推荐用于各种热作和冷作裁边模、成形和落料模的修旦手理和硬化表面。 HRC58-59
MG710 一般无需预热或只需低温预热，具有高度的抗碎裂性、可锻造性、可回火性和多层焊接性。焊后硬度为Rc55-60。如剪裁机刀片、锻模、冷剪裁模、成型模、撕碎机的锤头、轧机滚子等 HRC55-60
MG761 通用性极广的混合工具钢焊条，焊前无需预热或仅需用低温预热，焊后无需热处理。适用于各种常见的工具钢、模具钢。兆喊常用于重负荷条件下工作的冷、热工具。如热锻模、冷和热切剪刀刃、成型模具、冲孔工具、重型热和冷切剪裁模具。 HRC55-60
常用模具钢焊丝 SKD-11、SKD61、8407（H13)、P 20、718、738、S136

◆更多产品请登陆公司网站：http://www.tjyyhj.com

‘叁’ 三菱刀粒的刀片规格(型号材质)

PMT0802MO AP.VP15TF
TPMN110308 TPMN222 UT120T
TPMN160308 TPMN222 UT120T
SPEN1203EOR NX2525
SENN1203EOR NX2525
TCMT110202 VP15TF
CCMT09T304 VP15TF
CCMW09T304 MD220
TNMG160408-MA VP15TF
TNMG160404-FH NX2525
WNMG080408-MS VP15TF
DCMT11T304 VP15TF
NP-TPGX110304F
TPGN110304 UTI20T
TPGN110308 HTI05T
TPGN110308 HTI10
TPGN110308 MB710
TPGN110308 MB730
TPGN110308 MB820
TPGN110308 MB825
TPGN110308 MD220
TPGN110308 NX55
TPGN110308 UP20M
TPGN110308 UTI20T
TPGN160302 HTI05T
TPGN160302 HTI10
TPGN160302 MD220
TPGN160302 NX55
TPGN160302 UP20M
TPGN160302 UTI20T
TPGN160304 HTI05T
TPGN160304 HTI10
TPGN160404 TPGN160404 HTI05T
TPGN160404 TPGN160404 HTI10
TPGN160404 TPGN160404 NX33
TPGN160404 TPGN160404 NX55
TPGN160404 TPGN160404 UP20M
TPGN160404 TPGN160404 UTI20T
TPGN160408 TPGN160408 HTI05T
TPGN160408 TPGN160408 HTI10
TPGN160408 TPGN160408 MB710
TPGN160408 TPGN160408 MB730
TPGN160408 TPGN160408 MB820
TPGN160408 TPGN160408 MB825
TPGN160408 TPGN160408 NX55
TPGN160408 TPGN160408 UP20M
TPGN160408 TPGN160408 UTI20T
TPMN160408 TPMN160408 HTI05T
TPMN160408 TPMN160408 HTI10
TPMN160408 TPMN160408 NX33
TPMN160408 TPMN160408 NX55
TPMN160408 TPMN160408 STI40T
TPMN160408 TPMN160408 UC6010
TPMN160408 TPMN160408 UE6010
TPMN160408 TPMN160408 UE6020
TPMN160408 TPMN160408 UTI20T
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‘肆’ 中国垃圾处理器十大品牌有哪些

厨房食物垃圾处理器是一种现代化的厨房电器，安装于厨房水槽下方，并与排水管相连。通过交流或直流电机驱动刀盘，利用离心力将粉碎腔内的食物垃圾粉碎后排入下水道。避免食物垃圾因储存而滋生病菌、蚊虫和异味等，从而营造健康、清洁、美观的厨房环境。购买垃圾处理器应该选择什么牌子好？下面，为您介绍垃圾处理器十大品牌有哪些。

ISE爱适易

1927年创立于美国，美国艾默生电气有限公司旗下，全球知名食物垃圾处理器销售商和制造商，多元化的全球制造和技术公司 总部位于美国密苏里州圣路易斯市的 Emerson （纽约证券交易所股票代码: EMR），是一家全球性的技术与工程公司，为工业、商业及住宅市场客户提供创新性解决方案。艾默生工业自动化业务通过业界专业的技术和工业专长，帮助过程和离散制造商实现自动化并优化生产过程。艾默生商住解决方案开发一系列技术和服务，从而改善人类舒适度，保障食品安全，保护环境，实现可持续性的食物垃圾处理，并为各类建筑和市政基础设施提供高效的建设和维护支持服务。

MAXDISPOSER帝普森

浙江润尚厨卫科技有限公司旗下主打品牌帝普森，其主要产品是厨余食物垃圾处理器。 浙江润尚厨卫科技有限公司（以下简称“润尚”），创立于1992年。其前身为申东水暖器材有限公司，后更名为浙江润尚厨卫科技有限公司。
润尚专注于打造厨余食物垃圾处理器行业标杆，坚持以初心研发产品，以品质发展品牌，以诚信建立信誉，将健康环保的现代化高品质厨房生活理念传递至中国的亿万家庭。
公司工厂座落于美丽的港口城市台州玉环市。厂区面积13000多平方米，共有员工300余人。随着企业的不断发展壮大，厂区的进一步拓展和扩建也在计划中。 润尚拥有一批生产、实验设备和一支高素质研发队伍，从事厨房垃圾处理器的研发及生产，现拥有多项厨房垃圾处理器领域专利。我们以不断创新，突破自我，赢得社会的认可。我们拥有一整套严格的生产操作规范和质量检验标准。 润尚通过了CE、CQC、UL认证，ISO9001.2000质量体系认证，为品牌产品走向国际奠定了坚实的基础。
美的Midea
始于1968年，财富世界500强企业，世界级的白色家电制造商和品牌商，集消费电器/暖通空调/机器人与自动化系统/智能供应链（物流）于一体的科技集团 美的是一家消费电器、暖通空调、机器人与自动化系统、智能供应链（物流）的科技集团，提供多元化的产品种类与服务，包括以厨房家电、冰箱、洗衣机、及各类小家电为核心的消费电器业务；以家用空调、中央空调、供暖及通风系统为核心的暖通空调业务；以库卡集团、美的机器人公司等为核心的机器人及自动化系统业务;以安得智联为集成解决方案服务平台的智能供应链业务。
美的以“科技尽善，生活尽美”为企业愿景，将“联动人与万物，启迪美的世界”作为使命，恪守“敢知未来——志存高远、务实奋进、包容共协、变革创新”的价值观，整合全球资源，推动技术创新，每年为全球超过3亿用户、及各领域的重要客户与战略合作伙伴提供满意的产品和服务，致力创造美好生活。

Whirlpool惠而浦
创立于1911年美国，全球较具规模的大型白色家电制造商，专注于为全球消费者提供优质的家电产品 惠而浦收购合肥三洋成立惠而浦（中国）股份有限公司，公司旗下拥有惠而浦、三洋、帝度、荣事达四大品牌，业务遍及全球40多个国家和地区，涵盖冰箱、洗衣机等白色家电及厨房电器、生活电器等产品线。 自成立以来，惠而浦中国公司持续稳定发展，惠而浦品牌在中国的知名度及市场占有率也在稳步提升。经过融合、布局和提升，在文化、技术、产品、制造、营销和管理等多个环节，已经完成了与全球资源的对接。惠而浦全球研发中心及中国总部已经于2018年5月24日在安徽合肥正式启用，继2017年11月惠而浦合肥智能工厂投产之后，惠而浦在华发展已经有了工业4.0智能工厂、全球研发中心、中国总部三位一体的创新平台支撑，进入“三驾马车”驱动时代。

贝克巴斯BECBAS

成立于1997年，家用食物垃圾处理器行业知名品牌，集生产/销售/研发为一体，主打厨房食物垃圾处理机与工业电机产品系列的综合型企业 贝克巴斯前身是北京思维思通信息技术有限公司，现北京贝克巴斯科技发展有限公司，是中国较早引进食物垃圾处理器的公司。
成立于1997年，并承接了使用食物垃圾处理器的精装项目“密云云湖度假村”。行业内较早拥有恒速直流永磁电机及四级研磨技术的公司，以优良的产品性能与完善的安装及售后服务体系而着称，在各渠道销量均名列前茅。集生产、销售、研发为一体，专业于工业电机与厨房食物垃圾处理机两大产品系列。 公司拥有精良的生产设备，完善的检测手段以及现代化的管理体制。生产地址位于浙江省宁波市江北区庄桥，占地面积20000平方米，建筑面积22000平方米。

MOEN摩恩

源自1937年美国，拥有专业的龙头铅洗技术，知名的高级水龙头/厨盆/卫浴五金配件的专业制造商，其数码控制淋浴系统引起界内关注 美国摩恩公司Moen是水龙头、厨盆、卫浴五金配件的专业制造公司之一。
摩恩的系列产品种类齐全，包括龙头、厨盆、挂件、浴室家具等。适应于各种场所的需要，广泛应用于住宅、酒店、别墅、公寓、商务办公楼及各类公用建筑。摩恩产品以其精湛的技术，完善的售后服务而倍受世界各地用户的偏爱，并享有较高的声誉。
摩恩公司在中国 1996年，摩恩公司在中国成立了采用优良的生产管理和制造工艺的合资工厂。作为较早进入中国市场的水龙头制造商，摩恩公司经过几年的运作，如今在全国各地都有了比较完善的行销渠道和成熟的销售体制。先是在香港成立了美国摩恩（中国）有限公司，短短几年里已在国内设立上海、北京、广州、重庆分公司，销售服务网络覆盖全国180多个城市。

‘伍’ 钢琴最着名的品牌有哪些

目前世界上的名牌钢琴很多，如德国生产的斯坦威、贝赫斯坦、奥地利生产的倍森多夫、佩卓夫、美国生产的鲍德温、奇克林、意大利生产的法奇奥里、日本生产的雅马哈等钢琴。

根据钢琴演奏家的长期使用及专业钢琴制作者多年的比较、一致认为德国的斯坦威、奥地利的倍森多夫、日本的雅马哈这三种牌号的三角钢琴最为着名。

斯坦威和倍森多夫钢琴都是欧洲最负盛名的产品，首先德国以及奥地利是欧洲最古老的文明国家，他们的音乐和乐器制造业历史悠久，先后产生过许多大音乐家、演奏家和乐器制作大师。斯坦威和倍森多夫这两个钢琴公司，集多年钢琴生产的经验，以传统的手工技艺及精挑细选的材料制作的钢琴是钢琴演奏家们最喜爱的。

斯坦威钢琴的音色是无法用准确的语音来表达的。它以高音明亮华丽、中音部的音色诱人而温暖、低音部音色低沉以及震撼人心的音响给人留下极深刻的印象。

倍森多夫钢琴的音色特点是低音区的发音清晰而圆润，且有持续很久的共鸣，让你体会到独特的音响上和结构上的制作方针。倍森多夫钢琴在音响力度范围的广阔、音色细微差别的控制、音区的平衡等方面是十分成功的。

法奇奥里以其艳丽的音色，色彩变化丰富，高音清脆而明亮，且比一般钢琴的踏板多了一个矛音踏板，生产出世界上最大的三角钢琴（308cm）．

贝赫斯坦的颗粒与重量感的一致，且音色的纯净又不失干涩，安静又不轻浮，高音透彻而纯净度极高，低音基音色彩浓厚而闻名．

鲍德温以其浑厚的低音，明亮而清晰的高音而着称，与美产的斯坦威的音色有一决高下之势，凭借其卓越的品质和完美的音乐性能，赢得了全世界艺术家们的赞赏和青睐。

雅马哈钢琴的外观造型力求简单明快，虽不及斯坦威钢琴工艺、造型方面给人以高贵的感觉，但也不失典雅大方。其手感轻快平均，音色既有一定的厚度又较为秀气。

以上几种钢琴都被作为肖邦国际钢琴比赛、柴可夫斯基国际钢琴比赛等国际比赛的指定用琴，供选手们挑选。世界上许多大剧院、电台、电视台等演出场所及音乐院校大多选用以上这几种名牌钢琴。

‘陆’ 请问一下沥青混凝土有哪些型号（越详细越好）、SMA-13是什么意思 谢谢 ！

AC表示为连续级配。

13是指该混合料公称最大粒径为13毫米。

C是连续级配中的一个分类。

AK 抗滑表层沥青混合料。

SMA是一种沥青混合料，全称沥青马蹄脂碎石简行混合料，用于铺筑高性能沥青路面，改性沥青SMA就是使用改性沥青生产的沥青马蹄脂碎石混合。

(6)韩国ms副牌粒型号有哪些扩展阅读：

沥青混凝土路面要求具有足够的强度和适宜的刚度，具有良好的稳定性。干燥收缩和温度收缩变形较小，表面应平整密清氏实；拱度与面答咐散层的拱度应一致；高程符合要求。沥青路面的工艺则包括施工准备、原料制备、摊铺方法、路面压实和施工方法等方面。

沥青混凝土路面选择沥青混凝土矿料级配时要兼顾两者，以达到加入适量沥青后混合料能形成密实、稳定、粗糙度适宜、经久耐用的路面。配合矿料有多种方法，可以用公式计算，也可以凭经验规定级配范围，中国目前采用经验曲线的级配范围。

‘柒’ 内存条的型号怎么看哪里看最好有图例

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示或芹被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为衫清毕1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时正神间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10