俄罗斯用的什么晶体管

❶ 为什么俄罗斯的芯片百分之九十依赖进口，却不怕美国卡脖子

俄罗斯的社会生产活动不需要进口太多的芯片，因为它没有那么多的电子产业，也没有大规模的铸造厂，而芯片只是新兴产业所需的组件。您能想象俄罗斯每年生产多少辆汽车吗？多少名战士？多少辆坦克？这些是俄罗斯的主要产品。不仅输出是稀缺的，而且对芯片的尺寸几乎没有要求。只要设计足够好并且尺寸很大，就可以接受它，或者如果您足够好，它也可以用在由晶体管和电子管制成的飞机油箱中。 MiG-25真是太好了。

更有意思的是，这些低端芯片是很容易打破封锁的，并且从国际社会购买设备的难度也大大降低。我国社会保障基金会前任主席王忠民直言不讳地说，那些国际上生产10纳米，20纳米和30纳米芯片的设备可以比荷兰的光刻机便宜30％以上。购买后即可使用，并且解决大多数芯片要求都没有问题。

❷ 苏联为什么如此迷恋电子管而不转向晶体管

晶体管放大器与电子管放大器的比较
1、工作特点电路结构
晶体管放大器是在低电压大电流下工作，功放级的工作电压在几十伏之内，而电流达几安或数十安。电路设计上多采用直耦式（OCL、BTL等）无输出变压器电路，输出功率可以做得很大，可达数百瓦，各项电性能都做得很高。
电子管放大器是在高电压、低电流状态下工作。末极功放管的屏极电压可达到400-500V甚至上千伏，而流过电子管的电流仅几十毫安至几百毫安。输入动太范围大，转换速率快。
电子管放大器大多是采用分立元件、手工搭线、焊接，效率低，成本高。而晶体放大器多是采用晶体管和集成电路相结合方式，广泛使用印刷电路板，效率高，焊接质量稳定，电性能指标高。
2、功率储备与抗过载能力
高保真放大器动态范围应做到120dB，这样才能满足声响从轻微到高潮顶峰的需要，放大器输出不削波，因此放大器要有足够的功率储备量。如果音频电压的动态范围为3：1，因功率与电压平方成正比，所以其功率动态范围即为9：1。也就是说功率为90W的功放，要达到高保真放音只能开到10W。因此，晶体管放大器需要有很大的功率储备，才不会出现过载失真，一旦地载，其失真几近成垂直线上升，严重时能损坏晶体管。电子管放大器抗过载能力远比晶体管放大器强。如发生过载，其音乐信号巅峰只是变得比正常波形滑，声音听不出有多大程度的变坏。而对晶体管放大器来说，此时将出现削波，音质明显变坏。
3、开环指标与瞬态特性
电子管功放的开环指标优于晶体管，不需加深度的负反馈，不加相位补偿电容也能稳定地工作，因而其动态指标优于晶体管功放。晶体管功放的开环增益量（未加负反馈前的增益量）往往很大，它的优良的电声指标，是依靠加了很大量的负反馈来达到的，为了抑制寄生振荡，晶体管功放中又常常采用滞后补偿，这就带来了明显的瞬态互调畸变，严重地影响音质。
4、效率、寿命与成本
电子管放大器在重量、效率、寿命方面比晶体管放大器不占优势。电子管寿命较低，使用一两千小时后某些技术指标明显下降。而晶体管及集成电路寿命却要长得多。另外，电子管放大器耗电高，又常常工作在甲类状态，更降低了效率，但基不存在瞬态互调失真、开关失真及交越失真等有害音质的因素。在成本方面，对同一档次的放大器，电子管功放一般明显高于晶体管功放。主要原因是电子管、输出变压器成本高，及电子管功放生产工艺不易自动化，生产效率低等。这在发达国家尢为明显。
5、放大器与扬声器的匹配
晶体管放大器的输出内阴往往比电子管功放小的多，它的阻尼系数fd很大，可达到100-200以上，而电子管功放的fd最大也不过为10-20。因此功放类型不同，应搭配不同的扬声器。扬声器出厂时应标明fd，以便人们选配。如果把适合电子管功放阻尼系数的扬声器接在晶体管放大器上，则扬声器的电阴尼过大，瞬态响应会变劣，音质明显下降。反之，适合高阻尼系数的扬声器接在电子管功率放大器上，则由于欠阻尼，音质也不会好。总之，阻尼系数一定要合适，即要求放大器与扬声器得到合理匹配。
6、音质
由于以上提到的以及未提到的种种原因，电子管功放音质明显优于晶体管功放。晶体管功放听起来高频、中高频有偏多感觉，低频感觉偏少，晶体管功放听起来声音较硬，特别是低频声不够柔和，而高频声又显得尖刺、发燥，听起来有时感到高频段存在着交越畸变。当频率增高而音量又很大时，这些现象就更加明显。但晶体管功放的动态大、速度快，特别适宜于表现动态大一些的音乐。至于表现枪炮和雷电声当然更优于电子管功放了。
7.电子管功放的音质总的来说是柔和动听，具体一点说，电子管功放低频声柔和清晰，高频声纤细雨而洁净。表现人声是其强项，也因此更值钱。
三、选购的考虑
既然电子管放大器能与晶体管放大器平分天下，那么其必有优越性存在。而晶体管放大器采用的新技术似乎明显优于电子管。因而到目前为止，晶体管放大器在声频领域仍然占有明显优势，而且由于其自身缺点的存在，而正在设法减少与回避这些自身的缺点。比如各种场效应管的越来越多的应用，甲类放大形式迅速地增多等都是与电子管放大器抗争的有效措施。
与此同时，电子管放大器更不甘落后，除以音质取胜外，它常常以不锈钢的银光裸露的姿态而招徕顾客，在微弱照明下，电子管发出一团团橙红色的光芒实在可增加不少温馨氛围。
总之，电子管功放与晶体管功放各有优缺点，不能简单地说谁好谁不好。从主观上讲，由于各人的阅历、素养、情趣等等的差异，常会对某种放大器更偏爱一些。一句话，还是各取所需为好。假如你喜欢管弦乐特别是喜欢室内乐与人声等，那么应该把电子管功放列为首选，假如你特别喜欢爵士、摇滚与现代音乐，则选晶体管功放勿用置疑；再者你若喜欢家庭影院所再现的震撼身心的声光场面，恐怕也少不了晶体管功放。

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❸ 晶体三极管

1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

❹ 前苏联丌403晶体管用什么代替

你好，苏联丌403是高频锗晶体管(PNP型)，后来国产的3AG1可以的代替。
这种晶体管一般是在单管，四管来复式收音机，六管超外差式收音机的前端高频放大用。

❺ 在晶体管和电子管分化阶段，为什么美国发展了晶体管，而前苏联及俄罗斯却发展了电子管

因为晶体管不如电子管禁砸，俄罗斯人看见电子管电视画面质量不好，用拳头砸一下就好了，而晶体管电视，一砸就彻底玩完了，所以电子管是符合俄罗斯国情的，
瓦伦丁*尼古拉耶维奇*阿夫代夫专门在"维基网络"，这并不反映他的苏联科学和军队的巨大贡献几个吝啬线："苏联科学家，在电子专家，出生1915年5月16日，死"

与此同时，阿夫迪夫是一位科学家，正如他们所说，来自上帝。 他在无线电管领域的所有发展都是在没有更高的情况下进行的，但总的来说任何系统的教育！ 然而，在正确的顺序！

在40年代和50年代的电子，其中，像当时的所有科学成就，第一件事掉进军事行业，有一个巨大的突破之交-美国发明家，诺贝尔物理学奖获得者威廉布拉德福 一个小的金属圆柱体的大小顶针与内部的半导体晶体和三线引线打开设备的设计的本质-它允许放弃无线电管，巨大的相比，晶体管，无情energoprozhorlivyh，脆弱，不可靠，..

当然，美国军事装备立即开始迅速缩小。 而在门槛上是太空时代-有紧凑性和可靠性的技术问题已经变得更加尖锐。 冷战及其军备竞赛带来了无线电管不再适合的新挑战。..

然而，在苏联更换灯是什么！ 并不是说我们没有晶体管-有和发展进行。 但没有足够的时间来赶上来自资产阶级的公平滞后-有必要以某种方式削减一击的快刀斩乱麻。 该解决方案提出了一个年轻的科学家瓦伦丁Avdeev，谁开发了一种新型的电真空设备-也灯，但在结构上完全不同！

Avdeev的杆灯，这是他在新西伯利亚设计的，当他在战争期间从列宁格勒与斯韦特兰娜工厂疏散那里，是薄的玻璃圆柱体，并不比那个时代的晶体管大得多。 和名称"杆"是不是由于灯具的特征形状（这将是太原始！），而且由于电极的形状，这是更重要的。 Avdeev不只是减少了经典的灯薄"管"，但创造了一个根本不同的方式来控制电子的灯内部的流动通过改变对杆的电位，因为它们被称为杆。

但最重要的是-由于本发明设法摆脱传统的灯具，这使得建立一个非常可靠，紧凑，经济的无线电设备的几乎所有的缺点！ 杆灯消耗量级较少的能量和工作完美的便携式和微型设备与电池电源，他们不怕振动，在广泛的温度范围内运作（从-60到+125度！），自信地工作在高频率！ 棒radiolamps的使用寿命-5000小时（为了便于比较，传统的radiolamps工作不超过500小时，实际上少！)

高频五odes1zh17b，1ZH18B，1ZH24B，1ZH29B和1P24B-这是传说中的灯，提供了第一个人造地球卫星在1957年的信号传输的名称，这要归功于加加林，蒂托夫， 在这些灯的工作几乎整个军事无线电50年代，60年代（是和70年代！）年在我国，甚至在第一反坦克制导导弹接收机建立在Avdeev五分之一-嵌入在允许承受任何过载的可靠性设计！

❻ 俄罗斯的芯片，和光刻机的技术，现在发展得怎样了

芯片、光刻机成为了俄罗斯不能说不担心芯片和光刻机的问题，只是他们现在根本还有必要操心这件事，而这一切和俄罗斯（前苏联）的近50年发展所导致的。为什么这么说呢？

总结一下就是他们不看好晶体管，同时因为体制的原因，导致许多创新被埋没。

正如前文所说的，芯片其实是近代最重要的科技。由于芯片所引领的是产业链和标准。因此，掌握了芯片技术，就可以实现垄断，并从中获取暴利。西方国家从芯片行业获取到了大量的甜头。芯片的用处很多，它需要用到方方面面的领域，无论是军工的，还是民用的。如果一个国家因为某些政治因素不能够进口芯片，那么这个国家的许多行业都会受到冲击。

❼ 芯片是国家的命脉，为什么俄罗斯不担心芯片和光刻机的问题

芯片是国家的命脉，为什么俄罗斯不担心芯片和光刻机的问题？

近日的芯片大战，大家应该都是看在眼里的。芯片技术对于一个国家的发展而言，有着非常重要的意义，目前全世界最先进的芯片技术是掌握在美国的手里。而这一次大战当中我们也可以看得出来芯片，对于一个国家的影响究竟有多大，因为国内的芯片技术不够成熟，因此，只能够说是看他人的眼色行事。但这一次芯片大战中，有一个国家似乎没有参与，就是俄罗斯。芯片是国家的命脉，为什么俄罗斯不担心芯片和光刻机的问题呢？俄罗斯之所以对芯片和光刻机问题并不太关注，可能是由于以下原因：

不管是从科研实力来看，还是从军事实力来看，俄罗斯如今依旧是位列世界领先水平。像俄罗斯这种大国，根本就对于美国的芯片没有形成依赖心理，所以有部分人才会发现，这一次在这场大战当中，似乎俄罗斯根本就没有参与。

❽ 俄罗斯的电子工业比较落后，为什么能造出先进的雷达和防空反导系统

对俄罗斯电子工业的评价，网上有两种截然相反的观点。一种观点说俄罗斯的电子工业处于世界领先水平，连美国都不能望其项背。 也有一种观点说俄罗斯电子工业落后，说俄军事装备不仅比西方的差，而且也不如中国的。其实，网上好多观点都是人云亦云，很难见到纯专业角度的观点，甚至好多观点是带着感情色彩。

当年牛气哄哄的苏联都尚且没有把雷达折腾出什么名堂，如今元气大伤的俄罗斯要想在雷达领域后来居上更是痴人说梦。

但其实雷达技术还不是俄罗斯最落后的技术，俄罗斯最大的短板，就是它的动能拦截技术。俄罗斯直到现在还搞不定高精度的动能拦截器，这正是电子工业的落后拖了后腿。

俄罗斯的动能反导水平真的不敢恭维。更别说跟世界顶级水平相提并论，所谓的A135战略反导拦截系统其实是使用核弹头在自家头顶上摧毁来袭导弹，这种“自杀式拦截”的做法不愧是战斗民族的风格。

现在不仅是美国，连中国都放弃了这种简单粗暴的反导方式，改为更加先进高效的中段反导技术。俄罗斯至今在该领域原地踏步，至今没有什么建树。 实事求是地说，俄罗斯在雷达和反导系统领域离“先进”这个目标还相距甚远。

❾ 苏联6h23电子管的特点

由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，它的绝大部分用途已经被固体器件晶体管所取代。优点:1、电子管负载能力强2、线性性能优于晶体管3、工作频率高4、高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好
所以仍然在一些地方（如大功率无线电发射设备，高频介质加热设备）继续发挥着不可替代的作用。