① 俄罗斯是科技大国,它的芯片产业如何呢
俄罗斯是一个军事科技大国。它是第一次发射人造卫星并将人类送入太空。真是太棒了!唯一能与俄罗斯相提并论的国家是美国。从目前俄罗斯芯片的使用情况来看,95%以上的民用中高端芯片依赖进口,军用芯片不能进口,只能依靠自主研发,其余5%的民用芯片依赖自主生产。5%的民用生产芯片主要由一家名为MCST的俄罗斯公司提供。产品名为ELBRUS系列芯片,采用甲骨文的SPARC架构,由台积电OEM。芯片采用SPARC V9指令集,8核微处理器,时钟频率2GHz,采用台积电28nm技术制造,内置双通道ddr4-2400内存控制器。
② 俄罗斯的电子工业比较落后,为什么能造出先进的雷达和防空反导系统
对俄罗斯电子工业的评价,网上有两种截然相反的观点。一种观点说俄罗斯的电子工业处于世界领先水平,连美国都不能望其项背。 也有一种观点说俄罗斯电子工业落后,说俄军事装备不仅比西方的差,而且也不如中国的。其实,网上好多观点都是人云亦云,很难见到纯专业角度的观点,甚至好多观点是带着感情色彩。
当年牛气哄哄的苏联都尚且没有把雷达折腾出什么名堂,如今元气大伤的俄罗斯要想在雷达领域后来居上更是痴人说梦。
但其实雷达技术还不是俄罗斯最落后的技术,俄罗斯最大的短板,就是它的动能拦截技术。俄罗斯直到现在还搞不定高精度的动能拦截器,这正是电子工业的落后拖了后腿。
俄罗斯的动能反导水平真的不敢恭维。更别说跟世界顶级水平相提并论,所谓的A135战略反导拦截系统其实是使用核弹头在自家头顶上摧毁来袭导弹,这种“自杀式拦截”的做法不愧是战斗民族的风格。
现在不仅是美国,连中国都放弃了这种简单粗暴的反导方式,改为更加先进高效的中段反导技术。俄罗斯至今在该领域原地踏步,至今没有什么建树。 实事求是地说,俄罗斯在雷达和反导系统领域离“先进”这个目标还相距甚远。
③ 再见了,EUV光刻机
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作为全球半导体设备制造巨头的ASML公司,几乎全球的光刻设备都是由它提供的。不仅是DUV光刻机占据着绝大多数的市场份额,在EUV光刻设备上更是只有它造得出来,处于垄断地位。
随着芯片紧缺愈演愈烈,为了缓解芯片紧缺的问题,各个芯片大厂在扩厂生产的需求下争相向ASML订购EUV光刻机。
但随着“芯片规则”的修改和全球公共卫生问题的产生,ASML的光刻设备自由出货受到限制,芯片的制造成本也在不但增加,甚至有些光刻零件供应链开始延迟出货。
在此背景下,越来越多的企业开始寻求其他路径,以求绕过EUV光刻设备,制造出先进制程的芯片。
英特尔就研发出新型 3D 堆叠、多芯片封装技术,该项技术被命名为Foveros Direct。它能够应用于多种芯片混合封装的场景,不仅能够将 CPU、GPU、IO 芯片以相邻或者层叠的方式紧密结合在一起,还能兼容不同厂商的芯片进行混合封装。
2021 年 7 月英特尔更是推出了 RibbonFET 新型晶体管架构,通过将 NMOS芯片 和 PMOS芯片堆叠在一起,在制程不变的情况下,晶体管密度提升了 30% 至 50%。通过这项技术,芯片制程缩小到10nm以下,最多能达到5nm。
日本铠侠公司联合佳能开发出新的NIL(纳米压印微影技术)工艺,它是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的技术。
它的工作原理是 基于机械复制的,通过印刷技术与微电子加工工艺相互融合,使用电子束刻蚀的方式,不受光学衍射的限制。能够解决光衍射现象造成的分辨率极限问题,实现让电路线宽变得更窄,理论上来说分辨率会比EUV光刻机要高。
NIL的微影制程相对来说较为单纯,耗电量能比EUV光刻机减少10%,在设备的投资成本上也节省了40%,目前已经可以实现15nm制程的量产并应用到NAND闪存制造上,预计到2025年最高能产出5nm精密度制程的芯片。
适合工业化、低成本且具有高效率的优势让它一经推出就受到业内的重视,越来越多厂家对它感兴趣并进行询问。
俄罗斯初期投入 6.7 亿卢布用于X射线光刻机的制造。目前MIET(俄罗斯莫斯科电子技术学院)已经承接了该项目。根据当地媒体的说法,X射线光刻机性能甚至能与EUV光刻机比肩。
不同于EUV的极紫外技术,俄罗斯自研的光刻机使用的是X射线技术。从光刻设备的发展历程来看,越是高端的光刻设备,波长越短曝光分辨率就越高。
EUV的极紫外波长 为13.5nm, X 射线的波长在 0.01nm 到 10nm 之间,光从波长来看, X 射线光刻机是比EUV光刻机有优势的,不需要光掩模版的直写光刻方式也使成本大为降低。
但X 射线穿透性太强,只能用于直写光刻导致速度太慢,目前MIET面临的最大问题就是在工艺以及效率的提升上。
俄罗斯虽然半导体产业不发达,但在X射线和等离子这方面的技术上有着深厚的基础,要提升工艺实现量产并非不可能。
Chiplet 技术就是我们常听到的“小芯片”技术。目前国际上很多知名企业都在发展“小芯片”技术。
如全球规模最大的芯片代工厂——台积电,就自研出新的3D芯片封装工艺,通过将两枚低制程芯片用先进的3D封装工艺封装在一起,能提升1.5倍的性能。
对于3D封装技术,台积电还在不断进行试验和优化,目前最高已经能产出3nm制程的芯片。只是良品率还不高,成本消耗也更大。但对于能绕开EUV光刻机实现自主生产,就意味着能拥有自主权实现自由出货,这就是值得的。
苹果公司最新推出的M1 Ultra芯片也是将两枚M1芯片并列粘合在一起组成的,经过检测,M1 Ultra芯片的性能甚至比A15还要高出65%。
华为在5G芯片得不到供应之后,也明确表示会采用芯片堆叠技术,用面积换取性能。目前华为已经开发出芯片堆叠封装及终端设备并申请了专利。
在本就是自研芯片的基础上,有了自己的设备,华为要生产出芯片是不难的。
这些企业纷纷进入芯片相关产程自研,就是为了绕开EUV光刻设备的限制实现芯片自由。已经不能自由出货的ASML对各商家来说负面影响是很大的,不仅芯片的增产计划受到影响,可能客户的订单都不能如期交付。
而且,在美方技术的限制下,ASML已经隐隐有被操控的迹象,避免EUV光刻机的限制,也是在挣脱老美在半导体领域的限制。
这也表明,如果ASML无法实现自主出货,终将会被时代抛弃。
对于各个企业纷纷开始自研光刻设备和芯片技术,大家有什么想法呢?欢迎在评论区留下您独到的见解。
④ 俄罗斯的芯片,和光刻机的技术,现在发展得怎样了
芯片、光刻机成为了俄罗斯不能说不担心芯片和光刻机的问题,只是他们现在根本还有必要操心这件事,而这一切和俄罗斯(前苏联)的近50年发展所导致的。为什么这么说呢?
总结一下就是他们不看好晶体管,同时因为体制的原因,导致许多创新被埋没。
正如前文所说的,芯片其实是近代最重要的科技。由于芯片所引领的是产业链和标准。因此,掌握了芯片技术,就可以实现垄断,并从中获取暴利。西方国家从芯片行业获取到了大量的甜头。芯片的用处很多,它需要用到方方面面的领域,无论是军工的,还是民用的。如果一个国家因为某些政治因素不能够进口芯片,那么这个国家的许多行业都会受到冲击。