俄罗斯半导体是什么样的

① 俄罗斯的芯片，和光刻机的技术，现在发展得怎样了

芯片、光刻机成为了俄罗斯不能说不担心芯片和光刻机的问题，只是他们现在根本还有必要操心这件事，而这一切和俄罗斯（前苏联）的近50年发展所导致的。为什么这么说呢？

总结一下就是他们不看好晶体管，同时因为体制的原因，导致许多创新被埋没。

正如前文所说的，芯片其实是近代最重要的科技。由于芯片所引领的是产业链和标准。因此，掌握了芯片技术，就可以实现垄断，并从中获取暴利。西方国家从芯片行业获取到了大量的甜头。芯片的用处很多，它需要用到方方面面的领域，无论是军工的，还是民用的。如果一个国家因为某些政治因素不能够进口芯片，那么这个国家的许多行业都会受到冲击。

② 半导体是什么，有什么特点

半导体
[bàn dǎo tǐ]
半导体( semiconctor），指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。二极管是采用半导体制作的器件。

中文名：半导体
外文名：semiconctor
应用：收音机、电视机以及测温
物质形式：气体、等离子体等
简介

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差或不好的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可
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半导体
。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子- 空穴对，空穴导电并不是电子运动，但是它的运动可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

③ 白俄罗斯芯片怎么样

俄罗斯的芯片行业发展的一般，但是俄罗斯的其他电子行业还是很不错的。
俄罗斯本土也研发了激晶体振荡器，这在军事方面还是非常适用的，只是在民用方面不太方便，但是对于俄罗斯来说，能够用于军事就够了，毕竟军事实力是自己国家的核心，所以根本不在意美国的制裁。
集成电路英语：integrated circuit，缩写作 IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

④ 求助!!关于半导体的一些问题!!

一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

二、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

第一部分用字母表示半导体器件的材料；

第二部分用字母表示半导体器件的类别；

第三部分用数字或字母与数字混合表示序号；

第四部分用字母表示器件的规格号（同一类产品的档次）

⑤ 俄罗斯是科技大国，它的芯片产业如何呢

俄罗斯是一个军事科技大国。它是第一次发射人造卫星并将人类送入太空。真是太棒了！唯一能与俄罗斯相提并论的国家是美国。从目前俄罗斯芯片的使用情况来看，95%以上的民用中高端芯片依赖进口，军用芯片不能进口，只能依靠自主研发，其余5%的民用芯片依赖自主生产。5%的民用生产芯片主要由一家名为MCST的俄罗斯公司提供。产品名为ELBRUS系列芯片，采用甲骨文的SPARC架构，由台积电OEM。芯片采用SPARC V9指令集，8核微处理器，时钟频率2GHz，采用台积电28nm技术制造，内置双通道ddr4-2400内存控制器。

⑥ 俄罗斯曾发现的2.5亿年前的“芯片”化石，真的是来自外星文明吗

首先，让我们了解芯片开发的历史。人们普遍认为，英国无线电科学家杰弗里·丹默（Jeffrey Dammer）于1952年5月7日首次提出将许多电子组件集成到半导体芯片中的做法，这标志着电子芯片的出现。从1958年到1959年，由于半导体技术的突破，美国物理学家杰克·基尔比（Jack Kilby）获得了集成电路技术的专利，并进行了第一批不完善的芯片样品和批量生产。

2015年4月14日，该报纸发表了一篇题为“俄罗斯科学家发现2.5亿年前的化石的化石”的文章。俄罗斯拉宾斯克市居民维克多·莫罗佐夫（Viktor Morozov）在钓鱼时发现一块有奇怪斑点的石头，因此将其交给了新的切尔卡斯克科技大学的专家。专家们进行了一系列测试，他们得出的结论是，这是一种在2.25亿至2.5亿年前的纳米技术制成的芯片，与我们今天使用的芯片相似。但是为了防止损坏，没有取出石头中的物体，即所谓的化石碎片。

⑦ 为什么在俄罗斯可以发现距今2.5亿年的芯片而且2.5纳米的制程工艺，比我们现在都高

据国外媒体报道，俄罗斯科学家发现2.5亿年前的芯片化石。

据介绍，俄罗斯拉宾斯克市郊当地居民维克托·莫罗佐夫在捕鱼时捡到了一块有奇怪斑点的石头，并把它交给了新切尔卡斯克工业大学的专家。科学家进行了一
系列测试后得出结论，这是一枚在2.25亿至2.5亿年前用纳米技术制成的芯片，与我们今天使用的芯片类似。但也有一些科学家认为，这个时间并不准确，因
为石头的准确年龄无法确定，而“芯片”年龄又是根据包裹它的有机物的线索确定的。

谁会在2.5亿年前使用这枚“芯片”呢？或许，它是某种远古技术的残留，而这种技术属于曾在地球居住的某种高级文明？又或许，它并非来自地球，而是外星人在其他星球上制造的？

一般认为，电子芯片出现于1952年5月7日，英国无线电学家杰弗里·达默首次提出将许多电子元器件集成在一块半导体晶片上。1958年至1959年，半导体工业实现了突破。美国物理学家杰克·基尔比获得集成电路技术专利，制造出首批不完善的芯片样品并投入量产。

⑧ 俄罗斯芯片90%依赖进口，不给供应，美国为什么不怕卡脖子

见到那样的难题，可能俄罗斯人要怪异地笑了，受制于人？俺没有颈部，你怎么卡？是的，俄罗斯的“芯片”尽管90%之上依靠进口，但别人压根不害怕封禁。不论是美国的山姆大叔，或是欧洲的各界神鬼，俄罗斯置若罔闻，有很大的“放马过来，孔子不杵”的豪爽。这到底是为什么？

芯片，简易而言，便是将微电路刻在半导体材料圆晶表层的的集成电路芯片。而把电源电路打上去，靠的是光刻技术。光刻技术这东西，大家有，俄罗斯也是有。可是，最优秀的光刻技术把握在西班牙企业ASML手上，她们推动着最优秀的光刻工艺。用西班牙ASML的高端光刻机，能够生产制造出10纳米之内的芯片，最大级别早已做到了3纳米。

自然，最可靠的或是自身国家渐渐地发展趋势，这一点，俄罗斯也在做。此外，便是一定和中国维持最亲密无间的关联，紧要关头，中国能够达到俄罗斯很多的中低档要求，并且不容易去封禁俄罗斯，终究全是美国憎恶的国家，是互相帮助的难兄难弟。

总得来说，俄罗斯现阶段不害怕美国受制于人，是由于那么2个缘故，一是俄罗斯的民用芯片级别规定并不高，二是俄罗斯不但有欧美国家芯片一种挑选。

⑨ 印度和俄罗斯有芯片制造的能力吗

1.现在目前的芯片领域，美国依然是领头羊，科研不是闭门造车，是需要交流碰撞的。

2.从目前来看，俄罗斯的芯片科研能力并不强，从目前我平时所在的研究领域来看，不管是俄罗斯的课题组还是俄罗斯在欧美的留学生发表出来的论文都很少，反倒是中国和印度的留学生在顶级期刊发表出来的成果比较多，而且目前大陆的高校每年在ICCSS发表的论文也是越来越多。相比之前进步已经很大了。（当然也可能是俄罗斯人的名字让人印象不太深刻，看到就忘了）不过目前在IC领域最强的应该还是美日韩台。

3.我想对于民用领域，任何国家都害怕美国芯片科技的封锁。但是军用的话就不一样了，因为军用一般要求高的可靠性（比如温度，ESD，还有辐射等），一般来说军用芯片都用的都是比较成熟的工艺，而非最先进的工艺。

4.关于技术差多少年，不知该如何回答，因为不知道评判标准是什么。

5.据说俄罗斯每年要从中国河北那个所进口很多芯片。（翟羽健）

在政府资助的学术机构和本土科技企业家的推动下，这项研究和开发工作的重点是促进国内制造业。

支持的形式还包括今年2月公布的一项新政策，该政策旨在使该国成为电子制造中心，并为出口和包括半导体设施在内的高科技项目提供特殊激励。

⑩ 半导体是什么样的具体什么东西叫做半导体

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体
比如砷化镓、磷化镓、硫化镉、硫化锌等